2SK3479-ZJ-E1-AZ详细
MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
2SK3479-ZJ-E1-AZ参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:83A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 42A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):210nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11000pF @ 10V,功率 - 最大值:1.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB,供应商器件封装:TO-263
